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ZnO壓敏電阻陶瓷的性能是壓敏陶瓷中為優(yōu)異的一種。近年來，由于電子設(shè)備向小型化、多功能化發(fā)展，集成電路的集成速度和密度不斷提高，為了使電子線路免遭浪涌電壓的破壞，在低壓領(lǐng)域內(nèi)對壓敏電阻器的應(yīng)用也提出了越來越高的要求，因此ZnO的低壓化成為研究的熱點(diǎn)。為了尋求一個(gè)相對合適的ZnO壓敏陶瓷的低壓化配方，并且將所學(xué)專業(yè)理論知識與實(shí)際相結(jié)合，經(jīng)文獻(xiàn)查閱，我們設(shè)計(jì)了添加劑的量依次適當(dāng)增加的四組平行實(shí)驗(yàn)來進(jìn)行研究。本文首先簡析了ZnO壓敏陶瓷材料的概念、結(jié)構(gòu)、研究現(xiàn)狀及壓敏電阻的性能參數(shù)，并詳細(xì)解釋了其導(dǎo)電機(jī)理。同時(shí)對制備ZnO壓敏陶瓷的基本工藝流程做了初步的了解，通過熱分析的實(shí)驗(yàn)和老師的指導(dǎo)得出，燒結(jié)溫度分別為1160℃、1180℃，1200℃三個(gè)溫度下保溫2h的燒結(jié)條件。

源林電子的壓敏電阻器廣受贊譽(yù)，可靠性高、性價(jià)比高，具有很強(qiáng)的市場競爭力，想了解更多溫度傳感器資料，歡迎來電咨詢！

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壓敏電阻交流作用下的老化機(jī)理

交流作用下。在正半周時(shí)，假設(shè)右側(cè)為正極性，電壓主要加在右側(cè)的耗盡層上，使右側(cè)的Zni向晶界遷移，而左側(cè)所加電壓很低，Zn

i向晶粒內(nèi)遷移不大；在負(fù)半周，電壓主要加在左側(cè)，使左側(cè)Zni向晶界遷移，右側(cè)這時(shí)所加電壓很低，Zni向晶粒體內(nèi)遷移不大。總的結(jié)果是左右兩側(cè)的Zni都向晶界遷移。

源林電子是一家專業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)壓敏電阻的高科技電子元器件企業(yè)。主營壓敏電阻、熱敏電阻和溫度傳感器，自有研發(fā)團(tuán)隊(duì)，廠家直銷！

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